Galaxy S26 Edge、発売前にベンチマークが登場？ Snapdragon 8 Elite 2を搭載

サムスンの次期フラッグシップ機のうち、超薄型モデル「Galaxy S26 Edge」について、クアルコムの次世代チップ「Snapdragon 8 Elite 2」を搭載したとされるベンチマークスコアが公開されました。

このデバイスのモデル番号は「SM-S947U」で、米国版と推定されています（Galaxy S25 Edgeは「SM-S937U」）。搭載されるSnapdragon 8 Elite 2は8コアCPUで、2つのプライムコアは最大4.74GHz、6つのパフォーマンスコアは最大3.63GHzとされ、前モデルのSnapdragon 8 Eliteよりもクロック周波数が向上しています。

以前のリーク情報では、クアルコムはSnapdragon 8 Elite 2の動作クロックを通常版で最大4.6GHz、サムスン向け特別仕様版「for Galaxy」で最大4.74GHzに設定しテストしていると伝えられていました。つまり、Galaxy S26 Edgeには後者の高性能バージョンが採用される可能性が高いということです。

今回のGeekbench 6スコアは、シングルコアで3393点、マルチコアで11515点を記録しました。S25 Edgeの3131点および9391点と比べて、それぞれ約8％、22％の性能向上を示しています。

もっとも、このうちシングルコア性能は中国の著名リーカーが発信した11000以上」という数値には及びません。今回のテスト機では、プライムコアの動作クロックが最大4.74GHzではなく4.0GHzに抑えられているためとみられ、製品版ではさらなる性能向上が期待できるかもしれません。

Snapdragon 8 Elite 2は、アップルの次期A19 Proと比較してシングルコアで互角、マルチコアで上回る性能が予想されています。バッテリーも前モデルから増量されると噂されており、超薄型モデルの弱点を克服した製品になることが期待されます。

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Source: Geekbench Browser

via: GSMArena

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